НАУЧНЫЙ СЕМИНАР ИСАН.
13 декабря 2018г. в 11-00.
Виктор Александрович Быков
"Современные методы сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии высокого пространственного разрешения"
Виктор Александрович Быков
российский технологический предприниматель, изобретатель, доктор технических наук, профессор, эксперт в области нанотехнологий, генеральный директор созданной им компании НТ-МДТ. Лауреат премии RUSNANOPRIZE в номинации «Наноматериалы и модификация поверхности», премии RUSNANOPRIZE в номинации «Оптика и наноэлектроника».
Современные методы сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии высокого пространственного разрешения
Группа компаний НТ-МДТ СИ занимается разработками сканирующих зондовых микроскопов
последние 30 лет. За это время несколько тысяч приборов компании работают в более, чем 60
странах.
Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ) вошла в состав классических методов
исследования наноструктур и широко используется для качественной оценки физико-химических
свойств и геометрических параметров поверхностей и продолжает достаточно интенсивно
развиваться. Кроме топографии, сканирующие зондовые микроскопы позволяют измерять целый
ряд физических свойств поверхностных структур. Развились и комбинированные методы.
Особенно интенсивно развивались методы, комбинирующие атомно силовую микроскопию и
спектроскопию — спектроскопию комбинационного рассеяния, люминесцентную
спектроскопию, ИК и терагерцовую спектроскопию с разрешением до 10 нм.
В настоящее время интенсивно развиваются новые опции сканирующих зондовых
микроскопов, больше чем на порядок увеличена скорость сканирования без потери качества
получаемых результатов. Существенно улучшены параметры систем, включающих как методы
сканирующей зондовой микроскопии, так и методы люминесцентной спектроскопии,
высокоразрешающей спектроскопии комбинационного рассеяния (TERS – Tip Enhanced Raman
Scatterings).
Развитие методов безапертурной ближнепольной спектроскопии с инициацией рассеяния
инфракрасным излучением (наиболее интересно использование перестраиваемых каскадных
лазеров) позволяет идентифицировать распределение химических функциональных групп по
поверхности с разрешением до 10 нм, что позволяет прогнозировать каталитические свойства
поверхности, позволяет регистрировать изменение диэлектрической проницаемости, определить
размеры областей и качество легирования полупроводников в микроэлектронном производстве..
Время начала: | 13.12.2018 (Четверг), 11:00 |
Место проведения: | Конференц-зал ИСАН (3 этаж административного корпуса) (108840 г. Москва, г. Троицк ул. Физическая, 5, Институт спектроскопии РАН ) |
Телефон для справок: | +74958510579 |
Проход на территорию ИСАН по предварительной записи по тел. (495)851-02-21 или е-mail: isan@isan.troitsk.ru