Энергетика дефектов в графене
Наличие дефектов атомной структуры оказывает существенное влияние на физические и химические свойства графена. Процессы образования и исчезновения дефектов определяются энергетикой реакций перестройки связей в атомных масштабах. Обзор посвящен последним исследованиям реакций перестройки связей в атомных масштабах в графене для термически активированных и индуцированных облучением процессов. Рассмотрены энергии образования вакансий, адатомов и топологических дефектов, а также барьеры активации и пороговые энергии (для термически активированных и индуцированных облучением процессов, соответственно) для образования, миграции и исчезновения указанных дефектов, в том числе на краю графена. Рассмотрено влияние близости края и натяжения на перечисленные энергетические характеристики. В заключении обзора перечислены актуальные проблемы, связанные с энергетикой дефектов графена, решение которых необходимо для дальнейшего прогресса в развитие методик нанотехнологии, направленных на модификацию электронных свойств графена с помощью создания дефектов атомной структуры.